Artelis - Pamięci RAM - budowa i informacje ogólne cz.2 - RatujPC - Internet i Komputery, Hardware

Pamięci RAM - budowa i informacje ogólne cz.2

RatujPC 22.08.2010, czytano 640 razy, pobrano kod HTML 4 razy, komentarzy 0.

W dzisiejszych czasach pamięć RAM realizowana jest sprzętowo, w postaci układów scalonych, które występują w różnych technologiach, także jako fragmenty znacznie bardziej złożonych układów scalonych, na przykład pamięć podręczna procesora.

Pamięci RAM z jakimi mamy najczęściej do czynienia znajdują swe największe zastosowanie w komputerach osobistych.

Pamięć RAM jest wykorzystywana do operacji ciągłego zapisu danych w postaci bajtu lub słowa, do tymczasowego zapamiętywania oraz odczytu informacji. Znając podstawy teorii automatów wiadomo, że każda czynność zapamiętywania pociąga za sobą stosowanie odpowiednich układów sekwencyjnych, w których informacje tego typu mogą być zapisywane, bądź odczytywane zgodnie z określoną kolejnością. Dostęp do danej komórki pamięci zależy od miejsca w którym się ona znajduje oraz czasu, który mija przed rozpoczęciem operacji zapisu lub odczytu.

Podział pamięci RAM

Rozróżniamy dwa podstawowe rodzaje pamięci RAM:

Pamięci statyczne - SRAM. Elementem pamiętającym w tego typu pamięci jest bistabilny przerzutnik asynchroniczny typu RS. Komórki wykonywane były dawniej w technologii bipolarnej, obecnie stosuje się specjalne układy MOS. Informacja w tych pamięciach jest utrzymywana dopóty, dopóki nie zostanie zastąpiona inną lub napięcie zasilające nie zostanie odłączone.Pamięci dynamiczne - DRAM. Elementem pamiętającym w tego typu pamięciach są pojemności wejściowe tranzystorów typu MOS, które gromadzą ładunek, lub go odprowadzają. Istnieje konieczność odświeżania tego typu pamięci w celu uzupełniania ładunku, który dosyć szybko zanika. Do poprawnej pracy tej pamięci nie wystarczy więc tylko podłączenie go do zasilania, w przypadku braku częstych cykli zapisu lub odczytu, zawartość komórki zostałaby stracona.

Pamięci DRAM możemy dodatkowo podzielić na kilka podtypów, w zależności od implementacji na:

EDO DRAM - Extended Data Out DRAMFPM DRAM - Fast Page Mode DRAMSDRAM - Synchroneus DRAMDDRGDDR

W pamięciach RAM poszczególne komórki są ułożone w wybierane liniami adresu wejściowego słowa. Dla łatwiejszego wyobrażenia sobie struktury pamięci, przedstawmy ją jako dwuwymiarową matrycę, która składa się z n słów zawierających m bitów, dodatkowo podzieloną na obszary robocze zwane strefami.

Dekodery wejścia oraz wyjścia kooperują z równoległymi rejestrami pamiętającymi przychodzące dane, ponieważ operacja odczytu i zapisu do pamięci trwa zwykle przez sporą ilość cykli zegarowych. Zawartości linii adresowej i danych mogą się w tym momencie zmienić, dzięki użyciu rejestrów o odpowiednich długościach, żadna z informacji nie jest tracona. Serwis komputerowy ma odpowiednie narzędzia ktore wykryją różnice i problemy w działaniu pamięci.

Zależnie od stanu logicznego na wejściu R/W komórki pamięciowe przyjmują informację z rejestru danych, następuje wtedy cykl zapisu pamięci, albo wyprowadzają na rejestr danych zawartość komórki pamięci, w cyklu odczytu. Rejestr przekazuje dalej informację lub ją odbiera z szyny danych, stanowi on zatem bufor dwukierunkowy.